AiP4056H是一款输入耐压为28V的单节锂电池充电电路,采用涓流/恒流/恒压的方式充电。AiP4056H采用内部PMOSFET充电管,浮充电压为4.2V。当电池电压达到设置值后,充电电流降至设定值的1/10时,AiP4056H停止充电,进入待机模式。
Product characteristics
产品特点
● 高达 1000mA 的可编程充电电流
● 电源电压6.5V以上触发过压保护
● 过温保护
● BAT端防反接保护
● 电池温度监测功能
● 封装:ESOP8
Functional block diagram
功能框图
Pin arrangement diagram
引脚排列图
Typical application diagram
典型应用图
不同状态下的LED显示情况:
Application field
应用领域
Conclusion
结语
AiP4056H内置的PMOSFET结构及防范功能,可以省去外接MOSFET、检测电阻及隔离二极管等组件的需求,大幅度降低了设计的复杂程度。该芯片采用ESOP8封装形式,集成度高,散热效果好,有效缩减了PCB布局空间。
AiP4056H配备了两个状态指示灯让用户清晰地了解充电进程和状态,另一方面,AiP4056H芯片还加入了电池温度检测、欠压闭锁等功能。可有效防止电池过热、过冷或电压过低,确保电池的安全和稳定。
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【中微爱芯电池管理产品线】
【PCB布局建议】
不良的PCB布局会对AiP4056H的性能产生负面影响,导致电磁干扰(EMI)、电磁兼容性(EMC)差异、接地跳变以及电压损失,影响电压的调节与稳定性。为优化其电气与热性能,需遵循以下规则以实现高质量的PCB布局与布线,确保实现最佳性能:
1. 输入电容器CIN应靠近VCC及GND引脚布置。为最大限度减少高频噪声,建议在BAT端与VCC输入端分别连接一个0.1uF陶瓷电容器,并确保布线紧贴芯片引脚。
2. 对于高电流路径,应采用大面积PCB覆铜的模式,包括GND引脚。可将PCB传导损耗及热应力最小化。
3. 为减少过孔传导损耗并降低模块热应力,应采用多个过孔连接顶层与其他功率层或地层。
4. 由于PROG引脚具有高阻抗特性,当远离芯片热源时,RPROG引线轨道应尽量缩短,以减少对充电电流设置的潜在干扰。
5. 对于大电流充电应用,为缩短充电时间,建议增加散热电阻。在电源与VCC之间串联的电阻阻值范围应为0.2~0.5Ω。电阻值越大,充电时间虽短,但功耗亦随之增加,且电阻值不应超出此范围。
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